中欧第三代半导体高峰论坛在深举办 第三代国产半导体 急寻“突围”路径

（记者 刘娥）9月19日，2019年第三届“中欧第三代半导体高峰论坛”在深圳五洲宾馆举行。来自中国和欧洲的专家学者、企业高管、投资精英等近200名代表参会，共同探讨第三代半导体行业发展新机遇、新未来。

除主旨演讲外，现场还举行了“中国第三代半导体的突破之路”为主题的高端圆桌对话。力合科创集团、北京亿华通科技股份有限公司等几家优秀的半导体企业代表，从企业自身的发展经历出发，共同探讨我国第三代半导体实现突破的途径。

专家认为，第三代半导体未来应用潜力巨大，具备变革性的突破力量，是半导体以及下游的电力电子、通信等行业新一轮变革的突破口。2018年，美国、欧盟等持续加大第三代半导体领域的研发支持力度，国际厂商积极、务实推进，商业化的碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）电力电子器件新品不断推出，性能日益提升，应用逐渐广泛。国内受益于整个半导体行业宏观政策利好、资本市场追捧、地方积极推进、企业广泛进入等因素，第三代半导体产业稳步发展。但在材料指标、器件性能等方面与国外先进水平仍存在一定差距，市场继续被国际巨头占据，国产化需求迫切。

基本半导体总经理和巍巍介绍国内碳化硅发展时表示，在第三代半导体材料上，国内碳化硅发展一直紧跟世界前沿，但在汽车设计和制造方面，和国际的先进水平还有一定的差距，有几所大学可以制造器件样品，有三四家公司可以量产二极管，但是目前只有基本半导体一家公司可以量产碳化硅MOSFET，希望铸造碳化硅的中国“芯”。

本届高峰论坛由深圳市科学技术协会、深圳市坪山区人民政府、第三代半导体产业技术创新战略联盟指导，深圳青铜剑科技股份有限公司、深圳第三代半导体研究院、南方科技大学深港微电子学院主办，深圳基本半导体有限公司、深圳中欧创新中心联合承办。

新闻推荐

坪山 坪山街道开展“创文”宣传活动

9月8日，坪山区坪山街道创建第六届全国文明城市主题宣传活动举办，现场形式多样的文明主题互动节目吸引了600多名市民前...